PSMN6R5-80PS,127 与 IPP037N08N3 G 区别
| 型号 | PSMN6R5-80PS,127 | IPP037N08N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN6R5-80PS,127 | A-IPP037N08N3 G |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 3.75mΩ |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| Moisture Level | - | NA |
| Pd-功率耗散(Max) | 210W | - |
| Ciss | - | 6100.0 pF |
| Rth | - | 0.7K/W |
| Coss | - | 1640.0 pF |
| 输出电容 | 410pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | 2.8V,2V,3.5V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220 |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 100A | 100A |
| QG (typ @10V) | - | 88.0 nC |
| Ptot max | - | 214.0W |
| 输入电容 | 4461pF | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 6.9mΩ@10V | - |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.9 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN6R5-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 219,300 | 对比 | ||||||||||
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AOB286L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 5.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥7.7551
|
623 | 对比 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOT482L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 80V 25V 105A 333W 7.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPP037N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.75mΩ 80V 100A TO-220 -55°C~175°C N-Channel 2.8V,2V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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